第三代半導體GaN氮化鎵具備寬禁帶特征，性能優異，氮化鎵器件可在200°C以上的高溫下工作，承載更高的能量密度，且具備更高的可靠性、能效比、運行速度。隨著技術進步及應用場景不斷增加，氮化鎵器件成本中外延成本占約2/3，有較大下降空間；另一方面，氮化鎵器件為平面器件，與現有硅半導體工藝兼容性更強，更易于集成，降低用戶使用門檻。
光電、射頻、電力電子是氮化鎵的主要應用場景。據統計數據顯示，氮化鎵材料在光電領域應用最多，占比68%，其次為射頻領域，占比20%，電力電子領域占比為10%。
張大江先生，珠海鎵未來科技市場總監，畢業于清華大學電子工程系，從事電源及功率半導體行業14年，先后擔任國內企業電源研發工程師，萬國半導體（AOS）功率MOSFET現場應用工程師、寬禁帶產品線（GaN和SiC）市場工程師及快充MOSFET產品線經理。其主導規劃的快充同步整流MOSFET在國內首個快充產品上實現了量產，長年市場占有率達第一。其主導規劃的氮化鎵快充專用同步MOSFET以高效率高可靠性深受業內好評。
珠海鎵未來科技有限公司成立于2020年10月，鎵未來致力于第三代半導體GaN-on-Si器件技術創新和領先。通過高起點/強隊伍等，實現GaN技術的國產化，推動GaN器件的技術的世界領先，并且通過電源系統的創新設計，實現能源的綠色/高效利用。
鎵未來創始團隊結合產業界&學術界，填補了國內大功率氮化鎵的空白。鎵未來想讓客戶了解到氮化鎵并不難以應用，氮化鎵實際上可以做很大功率。
現在一提到氮化鎵，很多人第一反應就是快充。當然鎵未來也是有很多優秀的氮化鎵快充產品方案，但其并不是鎵未來的利潤重點。真正發揮氮化鎵產品優勢的領域是，改變國家能耗結構的領域，比如數據中心。
2020年9月，中國在聯合國大會上向世界宣布了2030年前實現碳達峰、2060年前實現碳中和的目標。數據中心的能耗大概占了我國發電量的10%。服務器電源產品能效標準是按照金牌、白金牌、鈦金牌劃分。鈦金牌是目前最高能效標準。但其實我國很多數據中心的電源效率并不高，有些連金牌標準都達不到。
鈦金牌的標準是滿載的時候需要達到91%的效率。鎵未來現有氮化鎵在特殊服務器電源（CPU、GPU供電）成功案例，做到了3400瓦。該客戶案例做到了96%的效率，從9%的損耗，降到了4%的損耗。
鈦金版2500W 服務器電源 with G1N65R035TB
如果能把我國數據中心的能效提高，從90%的效率能提高到95%，每年就能節省出千分之五的每年發電量，這是一個非常大的數字。
現在商業用電價格是在緩慢上浮的。數據中心運營商會漸漸發現用氮化鎵電源來為數據中心供電，只需要最慢兩年、最快一年就能實現成本回收。不僅是響應國家政策，為環保做貢獻，也給數據中心運營商帶來實際經濟效益。目前鎵未來在氮化鎵大功率電源超過70%市場占有率。
氮化鎵天生適合高頻，頻率高了，電感、電容尺寸都能做小。如電腦充電器、適配器等使用氮化鎵技術后，可以縮小到原尺寸的30%。
以240瓦電源適配器為例，使用氮化鎵技術能把尺寸做很小，重量也能做很輕，但為什么還用硅？癥結在于驅動很困難，其VGSTH(開啟電壓)特別低，大概只有1.7-1.8伏。一旦有干擾信號過來，器件就有損壞的風險。線路里面的干擾信號必須處理的非常很干凈才行。
鎵未來產品設計理念就是盡可能降低客戶開發難度。讓氮化鎵驅動與硅器件一樣容易，同時其他參數，如導通損耗、開關損耗，依然維持氮化鎵的特性。簡而言之就是把頻率做高，效率做高、把尺寸做小。同時還不難開發，驅動很容易，散熱也很容易。
再以充電寶為例，其自身電池已占據很大空間，如果充電器又占很大的空間，產品體積變大，失去了便攜的特性。所以新一代的充電寶都采用了氮化鎵技術。還有最近比較熱門的，便攜式儲能雙向快充，1000瓦充電，1000瓦放電。鎵未來可以提供標準化的一個控制板，搭配指定氮化鎵器件。
鎵未來整條供應鏈自主度高、良率高、產能大。海外Fab，月9000片6吋產能，良率可以做接近95%，良率與硅相當。同時鎵未來在湖南自建封測廠，珠海Fab也在規劃中。
鎵未來可以提供非常強大的AE支持，超20名AE工程師團隊，從30瓦一直到10000瓦都能做好服務。同時配備有3000瓦以上的大功率AE實驗，以及1500瓦以下的實驗室。涵蓋了從模擬到數字方案。大功率數字方案，小功率模擬方案。實驗設備投入規模超2000萬元。
一些國際公司氮化鎵OBC方案，就是只做一個Demo。Demo交付后，客戶需要自己慢慢琢磨。鎵未來可以為客戶做好控制板，燒錄好程序，商務人員直接送到客戶手里。整個控制由鎵未來全部解決了?？蛻粝喈斢谥苯淤徺IPCBA。如果客戶有需要，鎵未來還可以提供涵蓋熱設計等一站式服務。
鎵未來應用參考設計Roadmap
